GB/T 24576-2009

摘要：GB/T 24576-2009标准2009年10月30日发布2010年06月01日实施，此标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用 本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。国家标准《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。