摘要:T/IAWBS 010-2019标准2019年12月27日发布2019年12月31日实施,随着SiC产业的发展,获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件,要求晶片晶格完整,具有平整度极高的无损伤超平滑表面,…《碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法》团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
分类:C398 电子元件及电子专用材料制造
更新:2025-01-14最后编辑
名称:T/IAWBS 010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
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