T/IAWBS 003-2017

摘要：T/IAWBS 003-2017标准2017年12月20日发布2017年12月31日实施，本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。　本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压…《碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法》团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。