T/IAWBS 002-2017

摘要：T/IAWBS 002-2017标准2017年12月20日发布2017年12月31日实施，本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层。《碳化硅外延片表面缺陷测试方法》团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。