GB/T 26070-2010

摘要:GB/T 26070-2010标准2011年01月10日发布2011年10月01日实施,1.1此标准规定了Ⅲ—Y族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。1.2此标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。国家标准《化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

分类:冶金

更新:2025-01-14最后编辑

GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

名称:GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

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