GB/T 24574-2009

摘要:GB/T 24574-2009标准2009年10月30日发布2010年06月01日实施,此标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 此标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 此标准用于检测单晶硅中含量为1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各种电活性杂质元素。国家标准《硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

分类:电气工程

更新:2025-01-14最后编辑

GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

名称:GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

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