GB/T 6616-2023

摘要：GB/T 6616-2023标准2023年08月06日发布2024年03月01日实施，此标准描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。此标准适用于测试直径或边长不小于25.0mm、厚度为0.1mm~1.0mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001Ω·cm~200Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×10³Ω/☐~3.0×10³Ω/☐。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于品片径向电阻率变化的判定。国家标准《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。