GB/T 11073-2007

摘要:GB/T 11073-2007标准2007年09月11日发布2008年02月01日实施,此标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。此标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm~3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

分类:冶金

更新:2025-01-14最后编辑

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

名称:GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

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