T/CASAS 016-2022

摘要:T/CASAS 016-2022标准2022年07月18日发布2022年07月18日实施,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点,逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热…《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

分类:C397 电子器件制造

更新:2025-01-16最后编辑

T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法

名称:T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法

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