摘要:T/CASAS 015-2022标准2022年07月18日发布2022年07月18日实施,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点,广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术…《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法》团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
分类:C397 电子器件制造
更新:2025-01-16最后编辑
名称:T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法
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