T/CASAS 014-2021

摘要:T/CASAS 014-2021标准2021年11月01日发布2021年12月01日实施,碳化硅(SiC)具有高临界击穿场强、高的热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点,可用于制作高温大功率器件。使用碳化硅作为衬底生长器件结构时,衬底质量…《碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法》团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

分类:C398 电子元件及电子专用材料制造

更新:2025-01-15最后编辑

T/CASAS 014-2021 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法

名称:T/CASAS 014-2021 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法

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