T/CASAS 004.1-2018

摘要：T/CASAS 004.1-2018标准2018年11月20日发布2018年11月20日实施，由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了…《4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语》团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。