T/IAWBS 008-2019

摘要：T/IAWBS 008-2019标准2019年12月27日发布2019年12月31日实施，近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源…《SiC晶片的残余应力检测方法》团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。