T/CASAS 001-2018

摘要：T/CASAS 001-2018标准2018年09月21日发布2018年09月21日实施，碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高…《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。