T/CASAS 003-2018

摘要：T/CASAS 003-2018标准2018年11月20日发布2018年11月20日实施，SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiCPiN二极管、IGBT及GTO晶…《p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片》团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。