摘要:GB/T 43493.1-2023标准2023年12月28日发布2024年07月01日实施,此标准给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按品体学结构进行分类,并通过明场光学显微术(OM)、光致发光(PL)和X射线形貌(XRT))图像等无损检测方法进行识别。国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
分类:电子学
更新:2025-01-17最后编辑
名称:GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类
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