T/IAWBS 007-2018

摘要:T/IAWBS 007-2018标准2018年12月06日发布2018年12月17日实施,本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底(N型掺杂浓度>5×1018cm-3)上同质外延层(掺杂浓度5×1014cm-3-5×1016cm-3)厚度的红外反射测量方法。本标准适用…《4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法》团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。

分类:C398 电子元件及电子专用材料制造

更新:2025-01-14最后编辑

T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法

名称:T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法

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