GB/T 34481-2017

摘要：GB/T 34481-2017标准2017年10月14日发布2018年07月01日实施，此标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。此标准适用于测试位错密度小于1000个／cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。