GB/T 13539.4-2016

摘要：GB/T 13539.4-2016标准2016年04月25日发布2016年11月01日实施，本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000v或直流1500v的电路如适用，还可用于更高的标称电压的电路。注1 此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。注2：在多数情况下，组合设备的一部分可用作熔断器底座由于设备的多样性，难以作出一般的规定组合设备是否适合作熔断器底座，宜由用户与制造厂协商。但是，如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件，他们应符合IEC60269-1：2006的相关要求。注3：IEC60269-6专用于太阳能光伏系统的保护。本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了：a）熔断体的下列特性：1）额定值；2）正常工作时的温升；3）耗散功率4）时间一电流特性；5）分断能力；6）截断电流特性和特性；7）电弧电压特性。b）验证熔断体特性的型式试验c）熔断体标志；d）应提供的技术数据（见附录BB）。国家标准《低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求》由TC340（全国熔断器标准化技术委员会）归口上报，TC340SC2（全国熔断器标准化技术委员会低压熔断器分会）执行，主管部门为中国电器工业协会。