摘要:T/CASAS 017-2021标准2021年11月01日发布2021年12月01日实施,第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于第一代半导体(如:硅、锗)、第二代半导体(如:砷化镓、磷化铟)的宽禁带半导体材料,目前产业化以SiC、GaN为主。它具备禁带宽度大、击穿电场…《第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语》团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
分类:C398 电子元件及电子专用材料制造
更新:2025-01-15最后编辑
名称:T/CASAS 017-2021 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语
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