摘要:T/CASAS 013-2021标准2021年11月01日发布2021年12月01日实施,碳化硅(这里指4H-SiC)材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料,具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点,可用于制作高温大…《碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法》团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
分类:C398 电子元件及电子专用材料制造
更新:2025-01-15最后编辑
名称:T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
本文来自AI建筑网整理分享,转载链接:https://www.aijianzhu.com/page/110972.html